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Determination of Energy Band Offsets between GaN and AIN Using Excitonic Luminescence Transition in AIGaN Alloys

机译：使用AIGaN合金中的激子发光跃迁确定GaN和AIN之间的能带偏移

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作者
Westmeyer, A. N.; Mahajan, S.; Bajaj, K. K.; Lin, J. Y.; Jiang, H. X.; Koleske, D. D.; Senger, R. T.;
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作者单位

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年度 2006
总页数
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正文语种 en_US
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1. Determination of energy-band offsets between GaN and AlN using excitonic luminescence transition in AlGaN alloys [J] . A. N. Westmeyer, S. Mahajan, K. K. Bajaj, Journal of Applied Physics . 2006,第1期

机译：使用AlGaN合金中的激子发光跃迁确定GaN和AlN之间的能带偏移
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3. Determination of the electronic band structure for a graded modulation- doped AIGaN/AIN/GaN superlattice [J] . Z. H. Wu, F. A. Ponce, Joachim Hertkorn, Applied Physics Letters . 2007,第14期

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4. Experimental determination of band offset energies between Zr silicate alloy dielectrics and crystalline Si substrates by XAS, XPS and AES and ab initio theory: a new approach to the compositional dependence of direct tunneling currents [C] . Lucovsky G., Rayner B., Yu Zhang, Electron Devices Meeting, 2002. IEDM '02. Digest. International . 2002

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机译：使用AlGaN合金中的激子发光跃迁确定GaN和AlN之间的能带偏移
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